??RF模组使用者在使RF模组进入Sleep后测试电流时有时会发现模组的功耗和规格书的Sleep状态电流值对应不上。这种情况都是让RF模组进入Sleep后，MUC和RF模组链接的IO的状态配置不正确造成的。

??那么若何解决呢？本文将对RF模组在Sleep状态下若何做到最低功耗进行注明。

??RF模组sleep时RF模组的IO状态

??先要获知RF模组Sleep时，RF模组的IO的状态。该信息可从模组规格书，模组主芯片手册或者模组主芯片厂家处获取。下面以SX126X和LLCC68系列模组为例进行注明。

??SX126X和LLCC68系列模组主芯片在各个状态下的各个IO的状态如下图所示：

??我们重要关注Sleep状态下的各个IO的状态，并进行如下分类：

??1、HIZ PD（高阻态下拉）：蕴含IO有 DIO3、DIO2、DIO1

??模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入下拉即可。

??2、HIZ PU（高阻态上拉）：蕴含IO有 BUSY

??模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入上拉即可。

??3、HIZ（高阻态无上拉和下拉）：蕴含IO有 MISO、MOSI、SCK

??这类IO当模组为Sleep时建议配置MCU的IO为下拉输入（对应MISO）或输出低（对应MOSI、SCK）或 仿照输入

??把稳：模组的这类IO对应的MCU的IOsleep若是配置为浮空输入状态，可能出现MCU内部IO的施密特触发器在由表部噪声引起的逻辑电平之间随机切换。这增长了总体亏损。这种景象是随机的，可能和温度、PCB走线等都有关系。

??4、IN（输入无上拉和下拉）：蕴含IO有 NSS

??模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输出高电平即可。

??5、IN PU（输入上拉）：蕴含IO有 NRESET

??模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输出高电平即可。

??6、模组上有但是主芯片上没有的CTL1和CTL2

??这两个IO时模组上的高频开关上的节造引脚，模组sleep时，请把MUC对应的这两个IO都输出低电平。

??结论

??1、现实利用中若是模组的DIO3、DIO2、DIO1 这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入上拉则有可能增长sleep功耗。

??2、现实利用中若是模组的BUSY 这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入下拉则有可能增长sleep功耗。

??3、现实利用中若是模组的MISO、MOSI、SCK这类IO在sleep时MCU的IO配置为浮空输入则有可能增长sleep功耗。

??4、现实利用中若是模组的NRESET只在模组复位时有电平变动，在模组进出sleep过程中都不要进行电平操作。

??5、现实利用中若是模组的CTL1和CTL2若是不输出低，则高频开关未关关，则会增长sleep功耗。